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            晶閘管燒壞的原因分析

            發(fā)布時(shí)間:2018-05-11 15:12:32    已有4948人看過

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            在使用中頻爐的過程中,常出現(xiàn)晶閘管燒毀等現(xiàn)象,常令中頻爐維修人員煩心,有時(shí)還就解決不了。根據(jù)多年中頻爐維修記錄,整理資料見下,供維修人員參考。

            1、逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降——更換水冷套。有時(shí)觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的,但經(jīng)常由于水質(zhì)問題,在水冷套的壁上附著一層水垢,由于水垢是一種導(dǎo)熱性級(jí)差的物體,雖然有足夠的水流量流過,但因?yàn)樗傅母綦x是其散熱效果大大降低。其判斷方法是:將功率運(yùn)行在較低于該過流值的功率下約十分鐘,迅速停機(jī),停機(jī)后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部,若感覺到燙手,則該故障是由此原因引起的。

            2、槽路連接導(dǎo)線有接觸不良和斷線情況——檢查槽路連接導(dǎo)線,根據(jù)實(shí)際情況酌情處理。當(dāng)槽路連接導(dǎo)線有接觸不良或斷線情況時(shí),功率升到一定值后會(huì)產(chǎn)生打火現(xiàn)象,影響了設(shè)備的正常工作,從而導(dǎo)致設(shè)備保護(hù)動(dòng)作。有時(shí)因打火時(shí)會(huì)在可控硅兩端產(chǎn)生瞬時(shí)過電壓,如果過壓保護(hù)動(dòng)作來不及,會(huì)燒壞可控硅元件。該現(xiàn)象經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)過電壓、過電流同時(shí)動(dòng)作。

            3、可控硅在反相關(guān)斷時(shí),承受反向電壓的瞬時(shí)毛刺電壓過高——在中頻電源的主電路中,瞬時(shí)反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會(huì)使瞬時(shí)反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬秀表測(cè)量吸收電阻阻值、吸收電容容量,判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。

            4、負(fù)載對(duì)地絕緣降低——負(fù)載回路的絕緣降低,引起負(fù)載對(duì)地間打火,干擾了脈沖的觸發(fā)時(shí)間或在可控硅兩端形成高壓,燒壞可控硅元件。

            5、脈沖觸發(fā)回路故障——在設(shè)備運(yùn)行時(shí)如果突然丟失觸發(fā)脈沖,將造成逆變開路,中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓,燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障,可用示波器進(jìn)行檢查,也可能是逆變脈沖引線接觸不良,可用手搖晃導(dǎo)線接頭,找出故障位置。

            6、設(shè)備在運(yùn)行時(shí)負(fù)載開路——當(dāng)設(shè)備正在大功率運(yùn)行時(shí),如果突然負(fù)載處于開路狀態(tài),將在輸出端形成高壓燒壞可控硅元件。

            7、設(shè)備在運(yùn)行時(shí)負(fù)載短路——當(dāng)設(shè)備在大功率運(yùn)行時(shí),如果負(fù)載突然處于短路狀態(tài),將對(duì)可控硅有一個(gè)很大的短路電流沖擊,若過電流保護(hù)動(dòng)作不不及保護(hù),將燒壞可控硅元件。

            8、保護(hù)系統(tǒng)故障(保護(hù)失靈)——可控硅能否安全,主要是告保護(hù)系統(tǒng)來保證的,如果保護(hù)系統(tǒng)出現(xiàn)故障,設(shè)備稍有一點(diǎn)工作不正常,將危機(jī)到可控硅安全。所以,當(dāng)可控硅燒壞時(shí)對(duì)保護(hù)系統(tǒng)的檢查是必不可少的。

            9、可控硅冷卻系統(tǒng)故障——可控硅在工作時(shí)發(fā)熱量很大,需要對(duì)其冷卻才能保證正常工作,一般可控硅的冷卻有兩種方式:一種是水冷,另一種是風(fēng)冷。水冷的應(yīng)用較為廣泛,風(fēng)冷一般只用于100KW以下的電源設(shè)備。通常采用水冷方式的中頻設(shè)備均設(shè)有水壓保護(hù)電路,但基本上都是總進(jìn)水的保護(hù),若某一路出現(xiàn)水堵,是無法保護(hù)的。

            10、電抗器故障——電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù)。

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